MOSFET Infineon, canale N, 0,013 Ω, 40 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale

Codice RS:: 229-1812
Codice costruttore:: IAUZ40N10S5N130ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N, 0,013 Ω, 40 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale

Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)**

0,336 €

(IVA esclusa)

0,41 €

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Unità	Per unità	Per bobina**
5000 +	0,336 €	1.680,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 229-1812
Codice costruttore:: IAUZ40N10S5N130ATMA1
Costruttore:: Infineon

Datasheet - IAUZ40N10S5N130ATMA1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	40 A
Tensione massima drain source	100 V
Tipo di package	PQFN 3 x 3
Serie	OptiMOS™ 5
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	8
Resistenza massima drain source	0,013 Ω
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	3.8V
Numero di elementi per chip	1
Materiale del transistor	Silicone

MOSFET Infineon, canale N, 0,013 Ω, 40 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale

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Riepilogo delle caratteristiche

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