MOSFET Infineon, canale N 100 V, 13 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

Codice RS:: 229-1812
Codice costruttore:: IAUZ40N10S5N130ATMA1
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale N 100 V, 13 mΩ Miglioramento, 40 A, 8 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:: 229-1812
Codice costruttore:: IAUZ40N10S5N130ATMA1
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo prodotto	MOSFET
	Tipo di canale	N
	Massima corrente di scarico continua Id	40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	100V
	Tipo di package	PQFN
	Serie	IAUT
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	13mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Tensione diretta Vf	1.1V
	Dissipazione di potenza massima Pd	68W
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Temperatura massima di funzionamento	+175°C
	Standard/Approvazioni	No
	Standard automobilistico	AEC-Q101

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	Marchio Infineon
	Tipo prodotto MOSFET
	Tipo di canale N
	Massima corrente di scarico continua Id 40A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V
	Tipo di package PQFN
	Serie IAUT
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 8
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 13mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Tensione diretta Vf 1.1V
	Dissipazione di potenza massima Pd 68W
	Minima temperatura operativa -55°C
	Temperatura massima di funzionamento +175°C
	Standard/Approvazioni No
	Standard automobilistico AEC-Q101

Datasheet - IAUZ40N10S5N130ATMA1

MOSFET Infineon serie IAUT, tensione massima della sorgente di drenaggio di 100 V, corrente di drenaggio continua massima di 40 A - IAUZ40N10S5N130ATMA1

Questo MOSFET è un transistor a canale N ad alta corrente in modalità di potenziamento progettato per la commutazione di potenza a montaggio superficiale in sistemi elettronici impegnativi. Funziona in un ampio intervallo di temperature ed è adatto per applicazioni che richiedono una robusta gestione dei gate e una notevole capacità di corrente continua.

Caratteristiche e vantaggi:

• Valore nominale drain-source di 100 V che consente la conversione CC-CC a tensione più elevata
• Corrente di drenaggio continua di 40 A che supporta un funzionamento a carico elevato e prolungato
• Basso valore Rds(on) di 13 mΩ che riduce le perdite di conduzione durante la commutazione
• Dissipazione di potenza di 68 W che consente una maggiore capacità termica
• Limite gate-source ±20 V che garantisce la tolleranza per le oscillazioni gate-drive
• Intervallo di temperatura da -55 °C a +175 °C per garantire il funzionamento in ambienti difficili

Applicazioni

• Adatto per gli stadi dei convertitori CC-CC negli alimentatori
• Ideale per la commutazione ad alta corrente in ambienti automobilistici
• Utilizzato per la gestione dell'alimentazione nei sottosistemi dei veicoli elettrici
• Può essere utilizzato per progetti a montaggio superficiale che richiedono un imballaggio senza piombo
• Utilizzato con circuiti di gestione e distribuzione delle batterie

Che tipo di contenitore utilizza per l'assemblaggio della scheda?

È fornito in un contenitore PQFN senza piombo progettato per il montaggio superficiale.

Quali considerazioni sull'azionamento del gate sono importanti per una commutazione affidabile?

Le escursioni del gate devono rimanere entro ±20 V per evitare lo stress dielettrico del gate e garantire un funzionamento sicuro.

In che modo la gestione termica influisce sulla capacità di corrente continua?

La dissipazione nominale di potenza di 68 W indica che il dispositivo può gestire un calore significativo, sono necessarie adeguate vie termiche per circuito stampato e un'area in rame per sostenere una corrente di drenaggio continua di 40 A.

Quali sono i limiti ambientali che regolano l'impiego in condizioni estreme?

È specificato per funzionare da -55 °C fino a +175 °C, consentendo l'uso in un'ampia gamma di temperature ambientali e elevate.