MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 13 mΩ, 21 A, 6 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
257-5535
Codice costruttore:
IRFHS8242TRPBF
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

21A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

PQFN

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

13mΩ

Tensione diretta Vf

1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

4.3nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Altezza

0.9mm

Larghezza

2 mm

Standard automobilistico

No

La famiglia di MOSFET di potenza Infineon strongIRFET è ottimizzata per bassi RDS e capacità di corrente elevata. Ideale per le applicazioni a bassa frequenza che richiedono prestazioni e robustezza. Il catalogo completo si rivolge a un'ampia gamma di applicazioni, tra cui motori CC, sistemi di gestione delle batterie, inverter e convertitori CC-CC.

RDSon basso (< 58 m)

Bassa resistenza termica al circuito stampato (<12 °C/W)

Testato al 100% Rg

Profilo basso (<09 mm)

Pinatura standard industriale

Compatibile con le tecniche di montaggio superficiale esistenti

Conforme a RoHS che non contiene piombo, bromuro e alogeni per l'ambiente

MSL1, qualificazione industriale

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