MOSFET onsemi, canale Tipo N 80 V, 10 mΩ N, 61 A, 8 Pin, DFN, Superficie

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Codice RS:
229-6474
Codice costruttore:
NTMFSC010N08M7
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

61A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

80V

Tipo di package

DFN

Serie

NTMFS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

10mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

78.1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.1mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

0.95 mm

Lunghezza

6.25mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a canale N on Semiconductor è prodotto utilizzando un processo Advanced Power Trench. i progressi nelle tecnologie del silicio e del contenitore a raffreddamento doppio sono stati combinati per offrire la resistenza più bassa in stato attivo, mantenendo al contempo eccellenti prestazioni di commutazione grazie alla giunzione estremamente bassa alla resistenza termica ambiente.

Migliore capacità termica del contenitore

Riduce la perdita di conduzione

Maggiore efficienza del sistema

Il materiale della confezione è conforme ai requisiti più recenti

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