MOSFET onsemi, canale Tipo N 150 V, 5 mΩ N, 174 A, 8 Pin, TDFN, Superficie
- Codice RS:
- 229-6488
- Codice costruttore:
- NTMTSC4D3N15MC
- Costruttore:
- onsemi
Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*
8826,00 €
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Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 3000 + | 2,942 € | 8.826,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 229-6488
- Codice costruttore:
- NTMTSC4D3N15MC
- Costruttore:
- onsemi
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | onsemi | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 174A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 150V | |
| Tipo di package | TDFN | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 5mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 79nC | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 293W | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 8.1mm | |
| Altezza | 8.5mm | |
| Larghezza | 1.2 mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio onsemi | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 174A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 150V | ||
Tipo di package TDFN | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 5mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 79nC | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 293W | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 8.1mm | ||
Altezza 8.5mm | ||
Larghezza 1.2 mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza industriale on Semiconductor in contenitore con cavo piatto 8x8mm è progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Fiancata bagnabile per una migliore ispezione ottica. È utilizzato nella protezione della batteria dell'inversore, negli alimentatori switching e negli interruttori di alimentazione.
Design compatto
Riduce al minimo le perdite di conduzione
Ridurre al minimo le perdite di driver
Ispezione ottica migliorata
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