MOSFET onsemi, canale Tipo N 100 V, 1.7 mΩ Miglioramento, 267 A, 8 Pin, TDFN, Superficie

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Codice RS:
214-8906
Codice costruttore:
NTMTSC1D6N10MCTXG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

267A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Tipo di package

TDFN

Serie

NTMTS

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.7mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

3.9W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

106nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS, Pb-Free

Lunghezza

8.4mm

Altezza

1.02mm

Larghezza

8.5 mm

Standard automobilistico

No

La serie NTMFS on Semiconductor è costituita da MOSFET a canale N con tensione drain-source di Viene generalmente utilizzato per la rettifica sincrona e la conversione c.c.-c.c.

Senza piombo

Conformità RoHS

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