MOSFET onsemi, canale N 100 V, 2 mΩ Miglioramento, 236 A, 8 Pin, TDFN, Superficie NTMTSC002N10MCTXG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
214-8905
Codice costruttore:
NTMTSC002N10MCTXG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

236A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

NTMTS

Tipo di package

TDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

89nC

Dissipazione di potenza massima Pd

3.9W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

8.5mm

Lunghezza

8.4mm

Altezza

1.02mm

Standard automobilistico

No

La serie NTMTS on Semiconductor è costituita da MOSFET a canale N con tensione drain-source di Viene generalmente utilizzato per la rettifica sincrona e la conversione c.c.-c.c.

Senza piombo

Conformità RoHS

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