MOSFET onsemi, canale Tipo N 650 V, 190 mΩ N, 16 A, 8 Pin, TDFN, Superficie NTMT190N65S3H

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6482
Codice costruttore:
NTMT190N65S3H
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

16A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

650V

Tipo di package

TDFN

Serie

SUPERFET III

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

190mΩ

Modalità canale

N

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

129W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

8.1mm

Larghezza

1.1 mm

Altezza

8.1mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

La serie SUPER FET on Semiconductor è costituita da MOSFET a super giunzione ad alta tensione che utilizza la tecnologia di bilanciamento della carica per un'eccezionale bassa resistenza in stato attivo−e prestazioni di carica di gate inferiori. Questa tecnologia Advanced è personalizzata per ridurre la perdita di conduzione, fornisce eccellenti prestazioni di commutazione e resiste a estreme velocità dv/dt.

Capacità di uscita effettiva bassa

Testato con effetto valanga al 100%

Maggiore affidabilità del sistema a bassa temperatura di esercizio

Senza piombo−

Conformità RoHS

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