MOSFET onsemi, canale Tipo N 60 V, 1.55 mΩ Miglioramento, 267 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

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Codice RS:
221-6699
Codice costruttore:
NTBGS1D5N06C
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

267A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTBGS1D

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.55mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

78.6nC

Dissipazione di potenza massima Pd

211W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

15.7mm

Lunghezza

10.2mm

Standard/Approvazioni

RoHS

Larghezza

4.7 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza 60V on Semiconductor ha utilizzato 267A di corrente di drain con canale N−singolo. Ha un rumore di commutazione/EMI ridotto e riduce le perdite di conduzione.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

Bassa capacità per ridurre al minimo le perdite di driver

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