MOSFET onsemi, canale N 60 V, 2.5 mΩ Miglioramento, 169 A, 7 Pin, TO-263-7, Superficie

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Codice RS:
221-6701
Codice costruttore:
NTBGS2D5N06C
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

169A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Serie

NTBGS2D

Tipo di package

TO-263-7

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.5mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45.4nC

Dissipazione di potenza massima Pd

136W

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Larghezza

4.7mm

Lunghezza

10.2mm

Altezza

15.7mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza 60V on Semiconductor ha utilizzato 169 A di corrente di drain con canale N−singolo. Ha un rumore di commutazione/EMI ridotto e riduce le perdite di conduzione.

Bassa resistenza RDS(ON) per ridurre le perdite di conduzione

Bassa capacità per ridurre al minimo le perdite di driver

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