MOSFET onsemi, canale Tipo N 30 V, 2.25 mΩ N, 162 A, 8 Pin, WDFN, Superficie NVTFS4C02NWFTAG

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
229-6508
Codice costruttore:
NVTFS4C02NWFTAG
Costruttore:
onsemi
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Marchio

onsemi

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

162A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WDFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.25mΩ

Modalità canale

N

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

107W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

45nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

3.15mm

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

3.15mm

Larghezza

0.8 mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza industriale on Semiconductor in contenitore con cavo piatto 8x8mm è progettato per progetti compatti ed efficienti con elevate prestazioni termiche. Fiancata bagnabile per una migliore ispezione ottica. È utilizzato nella protezione della batteria dell'inversore, negli alimentatori switching e negli interruttori di alimentazione.

Design compatto

Riduce al minimo le perdite di conduzione

Ridurre al minimo le perdite di driver

Ispezione ottica migliorata

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