MOSFET Infineon, canale N, 0,0089 O, 0,0113 O, 56 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza PD OptiMOS 80 V di Infineon è progettato per applicazioni USB-PD e adattatori. Il contenitore SuperSO8 offre un rapido incremento e tempi di consegna ottimizzati. I MOSFET a bassa tensione OptiMOS per l'erogazione di potenza consentono progetti con meno parti che portano alla riduzione dei costi BOM. OptiMOS PD è dotata di prodotti di qualità in contenitori compatti e leggeri.

Disponibilità a livello logico
Eccellente comportamento termico
Testato con effetto valanga al 100%