MOSFET Infineon, canale Tipo N 1200 V, 60 mΩ Miglioramento, 36 A, 3 Pin, TO-247, Foro passante AIMW120R060M1HXKSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
233-3489
Codice costruttore:
AIMW120R060M1HXKSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

36A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

CoolSiC

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

60mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

31nC

Dissipazione di potenza massima Pd

150W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

23 V

Tensione diretta Vf

5.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.3mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

21.5 mm

Lunghezza

16.3mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

I MOSFET Infineon CoolSiC per il settore automobilistico sono stati sviluppati per caricabatterie di bordo e applicazioni c.c.-c.c. attuali e futuri in veicoli ibridi ed elettrici. Ha una corrente di drain di 36 A.

Miglioramento dell'efficienza

Attivazione di una frequenza più elevata

Densità di potenza aumentata

Riduzione dello sforzo di raffreddamento

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