MOSFET Infineon, canale N, 193 A, TDSON-8 FL, Montaggio superficiale

Il MOSFET a canale N con transistor di potenza Infineon OptiMOS 5 ha una tensione di scarica distruttiva drain 40V e corrente di drain continua 193A. Questo prodotto offre una soluzione di riferimento per le applicazioni che richiedono capacità di azionamento di livello normale (tensione di soglia superiore). L'alto Vth nella gamma di livello normale offre immunità al falso accensione a causa di ambienti rumorosi. Inoltre, rapporti QGD/QGS inferiori riducono il Peak dei picchi di tensione di gate, contribuendo ulteriormente alla robustezza contro accensioni indesiderate.

Applicazione alimentata a batteria
Azionamenti per motori LV
Resistenza molto bassa all'accensione RDS(ON)
Testato con effetto valanga al 100%
Temperatura di giunzione 175 °C.
Eccellente resistenza termica
Bassa carica di gate
Perdite di commutazione ridotte
Adatto per il funzionamento a frequenze più elevate
Canale N.
Placcatura senza piombo
Conformità RoHS
Senza alogeni: in conformità a IEC 61249-2-21