MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, TDSON-8 FL, Superficie
- Codice RS:
- 241-9871
- Codice costruttore:
- BSC019N06NSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Prezzo per 1 bobina da 5000 unità*
3865,00 €
(IVA esclusa)
4715,00 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
Temporaneamente esaurito
- Spedizione a partire dal 18 ottobre 2027
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,773 € | 3.865,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 241-9871
- Codice costruttore:
- BSC019N06NSATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 381A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TDSON-8 FL | |
| Serie | BSC0 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 381A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TDSON-8 FL | ||
Serie BSC0 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie BSC0, tensione massima della sorgente di drenaggio di 40 V, corrente di drenaggio continua massima di 381 A - BSC019N06NSATMA1
Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta corrente progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale in cui sono richieste una bassa resistenza in stato attivo e una risposta rapida al gate. Funziona in un ampio intervallo di temperatura adatto per ambienti difficili ed è fornito in un pacchetto TDSON-8 FL compatto per l'integrazione a livello di scheda.
Caratteristiche e vantaggi:
• L'Rds(on) ultrabasso di 0,7 mΩ riduce le perdite di conduzione e la generazione di calore
• L'ID continuo massimo 381 A supporta l'erogazione di corrente elevata nei sistemi
• Vds 40 V consente l'uso in guide di alimentazione e convertitori a media tensione
• Il Pd 81 W consente una gestione della potenza significativa senza un'immediata caduta termica
• La carica gate Qg 80 nC consente una commutazione rapida per carichi dinamici
• Il valore nominale del gate Vgs di 20 V fornisce tensioni di azionamento del gate flessibili per i circuiti di controllo
• L'ID continuo massimo 381 A supporta l'erogazione di corrente elevata nei sistemi
• Vds 40 V consente l'uso in guide di alimentazione e convertitori a media tensione
• Il Pd 81 W consente una gestione della potenza significativa senza un'immediata caduta termica
• La carica gate Qg 80 nC consente una commutazione rapida per carichi dinamici
• Il valore nominale del gate Vgs di 20 V fornisce tensioni di azionamento del gate flessibili per i circuiti di controllo
Applicazioni
• Adatto per stadi di rettifica sincrona ad alta corrente
• Ideale per la conversione di potenza in apparecchiature di server e telecomunicazioni
• Utilizzato per configurazioni a mezzo ponte e ponte H per azionamento motore
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e per i convertitori CC-CC
• Utilizzato con array MOSFET ad alta potenza su schede di alimentazione compatte
• Ideale per la conversione di potenza in apparecchiature di server e telecomunicazioni
• Utilizzato per configurazioni a mezzo ponte e ponte H per azionamento motore
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e per i convertitori CC-CC
• Utilizzato con array MOSFET ad alta potenza su schede di alimentazione compatte
Che tipo di contenitore e tipo di montaggio utilizza?
È fornito in un contenitore TDSON-8 FL e progettato per il montaggio superficiale su circuiti stampati.
Quale intervallo termico può resistere durante il funzionamento?
Il dispositivo funziona tra -55 °C e 175 °C per una maggiore tolleranza ambientale.
Quali caratteristiche influenzano la velocità di commutazione e i requisiti di azionamento del gate?
La carica di gate tipica è di 80 nC, che determina la corrente di azionamento e le transizioni di commutazione.
In che modo la tensione diretta influisce sulle prestazioni di conduzione?
una tensione diretta di 1 V influisce sulla perdita di potenza durante la conduzione e deve essere presa in considerazione nella progettazione termica.
Link consigliati
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC019N06NSATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC070N10LS5ATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC034N06NSATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC027N06LS5ATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC034N10LS5ATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC025N08LS5ATMA1