MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, TDSON-8 FL, Superficie BSC019N06NSATMA1

Questo MOSFET è un dispositivo di commutazione a canale N ad alta corrente progettato per applicazioni di potenza a montaggio superficiale in cui sono richieste una bassa resistenza in stato attivo e una risposta rapida al gate. Funziona in un ampio intervallo di temperatura adatto per ambienti difficili ed è fornito in un pacchetto TDSON-8 FL compatto per l'integrazione a livello di scheda.

• L'Rds(on) ultrabasso di 0,7 mΩ riduce le perdite di conduzione e la generazione di calore
• L'ID continuo massimo 381 A supporta l'erogazione di corrente elevata nei sistemi
• Vds 40 V consente l'uso in guide di alimentazione e convertitori a media tensione
• Il Pd 81 W consente una gestione della potenza significativa senza un'immediata caduta termica
• La carica gate Qg 80 nC consente una commutazione rapida per carichi dinamici
• Il valore nominale del gate Vgs di 20 V fornisce tensioni di azionamento del gate flessibili per i circuiti di controllo

• Adatto per stadi di rettifica sincrona ad alta corrente
• Ideale per la conversione di potenza in apparecchiature di server e telecomunicazioni
• Utilizzato per configurazioni a mezzo ponte e ponte H per azionamento motore
• Può essere utilizzato per la gestione delle batterie e per i convertitori CC-CC
• Utilizzato con array MOSFET ad alta potenza su schede di alimentazione compatte

È fornito in un contenitore TDSON-8 FL e progettato per il montaggio superficiale su circuiti stampati.

Il dispositivo funziona tra -55 °C e 175 °C per una maggiore tolleranza ambientale.

La carica di gate tipica è di 80 nC, che determina la corrente di azionamento e le transizioni di commutazione.

una tensione diretta di 1 V influisce sulla perdita di potenza durante la conduzione e deve essere presa in considerazione nella progettazione termica.