MOSFET Renesas Electronics, canale Tipo N 60 V, 5.6 mΩ Miglioramento, 40 A, 4 Pin, SOT-669, Superficie RJK0656DPB-00#J5

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
234-7157
Codice costruttore:
RJK0656DPB-00#J5
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-669

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza singolo a canale N Renesas Electronics è adatto per applicazioni di commutazione e commutazione di carico. Ha un'elevata tensione di scarica distruttiva di 60 V. È in grado di pilotare gate di 4,5 V.

Commutazione ad alta velocità

Bassa corrente di azionamento

Montaggio ad alta densità

Bassa resistenza in stato attivo

Senza piombo

Senza alogeni

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