MOSFET Renesas Electronics, canale N 60 V, 5.6 mΩ Miglioramento, 40 A, 4 Pin, SOT-669, Superficie RJK0656DPB-00#J5

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
234-7157
Codice costruttore:
RJK0656DPB-00#J5
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

40A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-669

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

5.6mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a potenza singola a canale N di Renesas Electronics è adatto per le applicazioni di commutazione e interruttore di carico. Ha un'elevata tensione di rottura di 60 V. È in grado di azionare il gate da 4,5 V.

Commutazione ad alta velocità

Bassa corrente di azionamento

Montaggio ad alta densità

Bassa resistenza in stato attivo

Senza piombo

Prodotto privo di alogeni

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