MOSFET Renesas Electronics, canale Tipo N 60 V, 14 mΩ Miglioramento, 25 A, 4 Pin, SOT-669, Superficie RJK0651DPB-00#J5

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 5 unità*

6,80 €

(IVA esclusa)

8,30 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 955 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
5 - 451,36 €6,80 €
50 - 951,162 €5,81 €
100 - 2450,998 €4,99 €
250 - 9950,974 €4,87 €
1000 +0,864 €4,32 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
234-7155
Codice costruttore:
RJK0651DPB-00#J5
Costruttore:
Renesas Electronics
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

25A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-669

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

14mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

15nC

Dissipazione di potenza massima Pd

45W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza singolo a canale N Renesas Electronics è adatto per applicazioni di commutazione e commutazione di carico. Ha un'elevata tensione di scarica distruttiva di 60 V. È in grado di pilotare gate di 4,5 V.

Commutazione ad alta velocità

Bassa corrente di azionamento

Montaggio ad alta densità

Bassa resistenza in stato attivo

Senza piombo

Senza alogeni

Link consigliati