MOSFET Renesas Electronics, canale Tipo N 30 V, 0.0029 Ω Miglioramento, 50 A, 8 Pin, WPAK, Superficie RJK0391DPA-00#J5A

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Codice RS:
234-7152
Codice costruttore:
RJK0391DPA-00#J5A
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WPAK

Serie

BEAM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0029Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

6.1mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free, Halogen-Free

Altezza

0.85mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a potenza singola a canale N di Renesas Electronics è adatto per le applicazioni di commutazione e interruttore di carico. Ha un'elevata tensione di rottura di 30 V. È in grado di azionare il gate da 4,5 V.

Commutazione ad alta velocità

Bassa corrente di azionamento

Montaggio ad alta densità

Bassa resistenza in stato attivo

Senza piombo

Prodotto privo di alogeni

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