MOSFET Renesas Electronics, canale N 30 V, 0.0029 Ω Miglioramento, 50 A, 8 Pin, WPAK, Superficie RJK0391DPA-00#J5A

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Codice RS:
234-7152
Codice costruttore:
RJK0391DPA-00#J5A
Costruttore:
Renesas Electronics
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Marchio

Renesas Electronics

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

N

Massima corrente di scarico continua Id

50A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

WPAK

Serie

BEAM

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.0029Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

34nC

Dissipazione di potenza massima Pd

50W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

5.9mm

Standard/Approvazioni

Pb-Free, Halogen-Free

Lunghezza

6.1mm

Altezza

850μm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET a potenza singola a canale N di Renesas Electronics è adatto per le applicazioni di commutazione e interruttore di carico. Ha un'elevata tensione di rottura di 30 V. È in grado di azionare il gate da 4,5 V.

Commutazione ad alta velocità

Bassa corrente di azionamento

Montaggio ad alta densità

Bassa resistenza in stato attivo

Senza piombo

Prodotto privo di alogeni

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