MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V N, 13.8 A, 3 Pin, TO-263, Superficie IPB19DP10NMATMA1

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Codice RS:
235-4844
Codice costruttore:
IPB19DP10NMATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

13.8A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

iPB

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Modalità canale

N

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET a canale P da 100V in contenitore D²PAK Infineon OptiMOS™ rappresentano la nuova tecnologia destinata alla gestione della batteria, all'interruttore di carico e alle applicazioni di protezione contro l'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza. La sua facile interfaccia con MCU, la commutazione rapida e la robustezza a valanga lo rendono adatto per applicazioni impegnative di alta qualità. È disponibile in versione normale con un'ampia gamma RDS(ON) e migliora l'efficienza a carichi bassi grazie alla bassa Qg. Viene utilizzato nella gestione delle batterie, nell'automazione industriale.

Ideale per frequenze di commutazione alte e basse

Resistenza alle valanghe

Contenitore a montaggio superficiale con ingombro standard industriale

Prestazioni robuste e affidabili

Maggiore sicurezza dell'approvvigionamento

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