Transistor MOSFET + diodo Infineon, canale P, 0,05 O, 5,6 A, D2PAK (TO-263), Montaggio superficiale

I MOSFET a canale P Infineon di International Rectifier utilizzano Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente per l'uso in applicazioni di gestione batteria e carico. Il contenitore Micro6 con il suo telaio conduttore personalizzato produce un MOSFET di potenza HEXFET® con RDS(ON) 60% in meno rispetto a SOT-23 di dimensioni simili. Questo contenitore è ideale per le applicazioni in cui lo spazio sulla scheda a circuito stampato è essenziale. L'esclusivo design termico e la riduzione RDS(on) consentono un aumento della gestione della corrente di quasi il 300% rispetto a SOT-23.

Resistenza ultra bassa in stato attivo
MOSFET a canale P
Montaggio superficiale
Disponibile in nastro e bobina
Senza piombo