MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo P 20 V, 50 mΩ Miglioramento, 5.6 A, 2 Pin, TO-263, Superficie IRLMS6802TRPBF

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 confezione da 50 unità*

17,05 €

(IVA esclusa)

20,80 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Ultimi pezzi su RS
  • 14.550 unità ancora disponibili, pronte per la spedizione da un'altra sede.
Unità
Per unità
Per confezione*
50 +0,341 €17,05 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7501
Codice costruttore:
IRLMS6802TRPBF
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

5.6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

20V

Serie

HEXFET

Tipo di package

TO-263

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

2

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

50mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

16nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

3mm

Larghezza

1 mm

Altezza

3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

I MOSFET a canale P Infineon di International Rectifier utilizzano Advanced Processing Techniques per ottenere una resistenza estremamente bassa all'accensione per area di silicio. Questo vantaggio offre al progettista un dispositivo estremamente efficiente per l'uso in applicazioni di gestione batteria e carico. Il contenitore Micro6 con il suo telaio conduttore personalizzato produce un MOSFET di potenza HEXFET® con RDS(ON) 60% in meno rispetto a SOT-23 di dimensioni simili. Questo contenitore è ideale per le applicazioni in cui lo spazio sulla scheda a circuito stampato è essenziale. L'esclusivo design termico e la riduzione RDS(on) consentono un aumento della gestione della corrente di quasi il 300% rispetto a SOT-23.

Resistenza ultra bassa in stato attivo

MOSFET a canale P

Montaggio superficiale

Disponibile in nastro e bobina

Senza piombo

Link consigliati