MOSFET e diodo Infineon, canale Tipo N 75 V, 0.65 mΩ Miglioramento, 100 A, 3 Pin, TO-263, Foro passante

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
220-7387
Codice costruttore:
IPB100N08S2L07ATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET e diodo

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

100A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

75V

Tipo di package

TO-263

Serie

OptiMOS

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Infineon offre un'ampia gamma di MOSFET di potenza qualificati per uso automobilistico a canale N 75V-100V che utilizzano la nuova tecnologia OptiMOS in vari contenitori. Una gamma RDS(ON) da 1.2mΩ a 190mΩ CO2 riducendo le emissioni di 48V delle autovetture sta accelerando l'adozione della rete di schede 48V e quindi i generatori di avviamento come (Invertitore principale), interruttori principali della batteria, convertitore DCDC e dispositivi ausiliari 48V. Infineon offre un'ampia gamma di MOSFET 80V e 100V per il settore automobilistico per questo mercato emergente. Che sono alloggiati in diversi tipi di contenitore come TOLL (HSOF-8), TOLG (HSOG-8), TOLT (HDSOP-16), SSO8 (TDSON-8) e S308 (TSDSON-8), al fine di fornire soluzioni per diversi requisiti di potenza, nonché diversi concetti di raffreddamento a livello di unità di controllo elettronico (ECU). Oltre alle applicazioni 48V, i MOSFET 80V e 100V sono utilizzati anche per esempio nell'illuminazione a LED, nell'iniezione di carburante e nella ricarica wireless all'interno dei veicoli.

Livello logico canale N - modalità di miglioramento

Qualifica per uso automobilistico AEC Q101

MSL1 con riflusso di picco fino a 260 °C

Temperatura d'esercizio: 175 °C

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