MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.65 mΩ Miglioramento, 557 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

1672,80 €

(IVA esclusa)

2040,80 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 02 aprile 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
800 +2,091 €1.672,80 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
222-4754
Codice costruttore:
IRL40SC228
Costruttore:
Infineon
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Infineon

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

557A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

7

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.65mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

416W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

307nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

10.54mm

Larghezza

4.83 mm

Altezza

4.83mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, 557A di corrente continua massima di drain, 40V di tensione massima di source drain - IRL40SC228


Questo MOSFET ad alta potenza è progettato per varie applicazioni che richiedono prestazioni ed efficienza elevate. È dotato di un pacchetto compatto per il montaggio superficiale D2PAK-7, che garantisce una comoda installazione in ambienti con limiti di spazio. Con una corrente di drain continua di 557A e una tensione massima drain-source di 40V, le sue dimensioni misurano 10,54 mm di lunghezza, 9,65 mm di larghezza e 4,83 mm di altezza.

Caratteristiche e vantaggi


• Ottimizzato per l'azionamento a livello logico per una maggiore compatibilità

• Basso RDS(on) di 0,50mΩ per ridurre la perdita di potenza

• Elevata capacità di corrente fino a 557A per le applicazioni più esigenti

• Applicazioni versatili negli azionamenti dei motori e negli alimentatori

Applicazioni


• Adatto per circuiti di azionamento di motori brushed e BLDC

• Ideale per sistemi elettronici alimentati a batteria

• Utilizzato nelle topologie di circuito a mezzo ponte e a ponte intero

• Efficace come raddrizzatore sincrono nell'alimentazione elettrica

• Utilizzato nei convertitori DC-DC e AC-DC

Quali sono i vantaggi principali dell'utilizzo di questo dispositivo in applicazioni ad alta corrente?


La bassa resistenza di accensione del dispositivo migliora significativamente l'efficienza, consentendo un flusso di corrente più elevato senza una sostanziale generazione di calore. Questo supporta l'affidabilità e le prestazioni in situazioni difficili in cui la capacità di corrente è fondamentale.

Come si comporta questo MOSFET in condizioni di alta temperatura?


Funziona efficacemente in un'ampia gamma di temperature, da -55°C a +175°C, garantendo stabilità e funzionalità anche in condizioni operative estreme.

Quali caratteristiche migliorano la robustezza di questo MOSFET durante il funzionamento?


La maggiore robustezza del gate e della valanga lo protegge dai picchi di tensione, mentre le sue basse capacità dinamiche di dV/dt contribuiscono a garantire prestazioni costanti in condizioni di rapido cambiamento.

Link consigliati