MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.65 mΩ Miglioramento, 557 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Codice RS:: 222-4754
Codice costruttore:: IRL40SC228
Costruttore:: Infineon

MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.65 mΩ Miglioramento, 557 A, 7 Pin, TO-263, Superficie

Prezzo per 1 bobina da 800 unità*

1816,00 €

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Codice RS:: 222-4754
Codice costruttore:: IRL40SC228
Costruttore:: Infineon

Specifiche

Documentazione Tecnica

Normative

Dettagli prodotto

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Seleziona tutto	Attributo	Valore
	Marchio	Infineon
	Tipo di canale	Tipo N
	Tipo prodotto	MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id	557A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds	40V
	Tipo di package	TO-263
	Serie	HEXFET
	Tipo montaggio	Superficie
	Numero pin	7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds	0.65mΩ
	Modalità canale	Miglioramento
	Minima temperatura operativa	-55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs	307nC
	Dissipazione di potenza massima Pd	416W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs	20V
	Temperatura massima di funzionamento	175°C
	Larghezza	4.83mm
	Standard/Approvazioni	No
	Altezza	4.83mm
	Lunghezza	10.54mm
	Standard automobilistico	No

	Seleziona tutto
	Marchio Infineon
	Tipo di canale Tipo N
	Tipo prodotto MOSFET
	Massima corrente di scarico continua Id 557A
	Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V
	Tipo di package TO-263
	Serie HEXFET
	Tipo montaggio Superficie
	Numero pin 7
	Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.65mΩ
	Modalità canale Miglioramento
	Minima temperatura operativa -55°C
	Carica tipica del gate Qg @ Vgs 307nC
	Dissipazione di potenza massima Pd 416W
	Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V
	Temperatura massima di funzionamento 175°C
	Larghezza 4.83mm
	Standard/Approvazioni No
	Altezza 4.83mm
	Lunghezza 10.54mm
	Standard automobilistico No

Datasheet - IRL40SC228

MOSFET Infineon serie HEXFET, 557A di corrente continua massima di drain, 40V di tensione massima di source drain - IRL40SC228

Questo MOSFET ad alta potenza è progettato per varie applicazioni che richiedono prestazioni ed efficienza elevate. È dotato di un pacchetto compatto per il montaggio superficiale D2PAK-7, che garantisce una comoda installazione in ambienti con limiti di spazio. Con una corrente di drain continua di 557A e una tensione massima drain-source di 40V, le sue dimensioni misurano 10,54 mm di lunghezza, 9,65 mm di larghezza e 4,83 mm di altezza.

Caratteristiche e vantaggi

• Ottimizzato per l'azionamento a livello logico per una maggiore compatibilità

• Basso RDS(on) di 0,50mΩ per ridurre la perdita di potenza

• Elevata capacità di corrente fino a 557A per le applicazioni più esigenti

• Applicazioni versatili negli azionamenti dei motori e negli alimentatori

Applicazioni

• Adatto per circuiti di azionamento di motori brushed e BLDC

• Ideale per sistemi elettronici alimentati a batteria

• Utilizzato nelle topologie di circuito a mezzo ponte e a ponte intero

• Efficace come raddrizzatore sincrono nell'alimentazione elettrica

• Utilizzato nei convertitori DC-DC e AC-DC

Quali sono i vantaggi principali dell'utilizzo di questo dispositivo in applicazioni ad alta corrente?

La bassa resistenza di accensione del dispositivo migliora significativamente l'efficienza, consentendo un flusso di corrente più elevato senza una sostanziale generazione di calore. Questo supporta l'affidabilità e le prestazioni in situazioni difficili in cui la capacità di corrente è fondamentale.

Come si comporta questo MOSFET in condizioni di alta temperatura?

Funziona efficacemente in un'ampia gamma di temperature, da -55°C a +175°C, garantendo stabilità e funzionalità anche in condizioni operative estreme.

Quali caratteristiche migliorano la robustezza di questo MOSFET durante il funzionamento?

La maggiore robustezza del gate e della valanga lo protegge dai picchi di tensione, mentre le sue basse capacità dinamiche di dV/dt contribuiscono a garantire prestazioni costanti in condizioni di rapido cambiamento.