MOSFET Infineon, canale N, 0,00065 Ω, 557 A, D2PAK-7, Montaggio superficiale

Il design Infineon dei MOSFET di potenza HEXFET®, noti anche come transistor MOSFET, sta per 'transistor a effetto di campo' di metallo ossido semiconduttore. I MOSFET sono dispositivi transistor controllati da un condensatore. “Effetto campo” vuol dire che sono controllati dalla tensione. Lo scopo di un MOSFET è quello di controllare il flusso di corrente dalla sorgente ai terminali di scarico.

Capacità completamente caratterizzata e SOA a effetto valanga
Diodo incorporato ottimizzato DV/dt e di/dt
Senza piombo*
Conformità RoHS, senza alogeni