MOSFET Infineon, canale N 40 V, 0.65 mΩ Miglioramento, 557 A, 7 Pin, TO-263, Superficie IRL40SC228
- Codice RS:
- 222-4755
- Codice costruttore:
- IRL40SC228
- Costruttore:
- Infineon
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- Codice RS:
- 222-4755
- Codice costruttore:
- IRL40SC228
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 557A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 7 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.65mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 416W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 307nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Altezza | 4.83mm | |
| Lunghezza | 10.54mm | |
| Larghezza | 4.83mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 557A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 7 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.65mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 416W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 307nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Altezza 4.83mm | ||
Lunghezza 10.54mm | ||
Larghezza 4.83mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Standard automobilistico No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, 557A di corrente continua massima di drain, 40V di tensione massima di source drain - IRL40SC228
Questo MOSFET ad alta potenza è progettato per varie applicazioni che richiedono prestazioni ed efficienza elevate. È dotato di un pacchetto compatto per il montaggio superficiale D2PAK-7, che garantisce una comoda installazione in ambienti con limiti di spazio. Con una corrente di drain continua di 557A e una tensione massima drain-source di 40V, le sue dimensioni misurano 10,54 mm di lunghezza, 9,65 mm di larghezza e 4,83 mm di altezza.
Caratteristiche e vantaggi
• Ottimizzato per l'azionamento a livello logico per una maggiore compatibilità
• Basso RDS(on) di 0,50mΩ per ridurre la perdita di potenza
• Elevata capacità di corrente fino a 557A per le applicazioni più esigenti
• Applicazioni versatili negli azionamenti dei motori e negli alimentatori
Applicazioni
• Adatto per circuiti di azionamento di motori brushed e BLDC
• Ideale per sistemi elettronici alimentati a batteria
• Utilizzato nelle topologie di circuito a mezzo ponte e a ponte intero
• Efficace come raddrizzatore sincrono nell'alimentazione elettrica
• Utilizzato nei convertitori DC-DC e AC-DC
Quali sono i vantaggi principali dell'utilizzo di questo dispositivo in applicazioni ad alta corrente?
La bassa resistenza di accensione del dispositivo migliora significativamente l'efficienza, consentendo un flusso di corrente più elevato senza una sostanziale generazione di calore. Questo supporta l'affidabilità e le prestazioni in situazioni difficili in cui la capacità di corrente è fondamentale.
Come si comporta questo MOSFET in condizioni di alta temperatura?
Funziona efficacemente in un'ampia gamma di temperature, da -55°C a +175°C, garantendo stabilità e funzionalità anche in condizioni operative estreme.
Quali caratteristiche migliorano la robustezza di questo MOSFET durante il funzionamento?
La maggiore robustezza del gate e della valanga lo protegge dai picchi di tensione, mentre le sue basse capacità dinamiche di dV/dt contribuiscono a garantire prestazioni costanti in condizioni di rapido cambiamento.
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