Transistor MOSFET Infineon, canale P, 3,9 A, SOT-223, Montaggio superficiale

I MOSFET a canale P Infineon OptiMOS™ 100V in contenitore SOT-223 rappresentano la nuova tecnologia destinata alla gestione della batteria, all'interruttore di carico e alle applicazioni di protezione contro l'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza. La sua facile interfaccia con MCU, la commutazione rapida e la robustezza a valanga lo rendono adatto per applicazioni impegnative di alta qualità. È disponibile in versione normale con un'ampia gamma RDS(ON) e migliora l'efficienza a carichi bassi grazie alla bassa Qg. Viene utilizzato nella gestione delle batterie, nell'automazione industriale.

Ideale per frequenze di commutazione alte e basse
Resistenza alle valanghe
Contenitore a montaggio superficiale con ingombro standard industriale
Prestazioni robuste e affidabili
Maggiore sicurezza dell'approvvigionamento