MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 1.38 Ω Miglioramento, 3.9 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie ISP16DP10LMXTSA1
- Codice RS:
- 235-4876
- Codice costruttore:
- ISP16DP10LMXTSA1
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
| 1000 - 1000 | 0,397 € | 397,00 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 235-4876
- Codice costruttore:
- ISP16DP10LMXTSA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo P | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 3.9A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 100V | |
| Tipo di package | SOT-223 | |
| Serie | ISP | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 1.38Ω | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione diretta Vf | 1.2V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 11.6nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 5W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Lunghezza | 6.1mm | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 1.2mm | |
| Altezza | 5.35mm | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo P | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 3.9A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 100V | ||
Tipo di package SOT-223 | ||
Serie ISP | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 1.38Ω | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione diretta Vf 1.2V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 11.6nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 5W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Lunghezza 6.1mm | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 1.2mm | ||
Altezza 5.35mm | ||
Standard automobilistico No | ||
I MOSFET a canale P Infineon OptiMOS™ 100V in contenitore SOT-223 rappresentano la nuova tecnologia destinata alla gestione della batteria, all'interruttore di carico e alle applicazioni di protezione contro l'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza. La sua facile interfaccia con MCU, la commutazione rapida e la robustezza a valanga lo rendono adatto per applicazioni impegnative di alta qualità. È disponibile in versione normale con un'ampia gamma RDS(ON) e migliora l'efficienza a carichi bassi grazie alla bassa Qg. Viene utilizzato nella gestione delle batterie, nell'automazione industriale.
Ideale per frequenze di commutazione alte e basse
Resistenza alle valanghe
Contenitore a montaggio superficiale con ingombro standard industriale
Prestazioni robuste e affidabili
Maggiore sicurezza dell'approvvigionamento
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