MOSFET Infineon, canale Tipo P 100 V, 1.38 Ω Miglioramento, 3.9 A, 3 Pin, SOT-223, Superficie ISP16DP10LMXTSA1

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
235-4877
Codice costruttore:
ISP16DP10LMXTSA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

3.9A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

100V

Serie

ISP

Tipo di package

SOT-223

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.38Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

11.6nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Dissipazione di potenza massima Pd

5W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Altezza

5.35mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

1.2 mm

Lunghezza

6.1mm

Standard automobilistico

No

I MOSFET a canale P Infineon OptiMOS™ 100V in contenitore SOT-223 rappresentano la nuova tecnologia destinata alla gestione della batteria, all'interruttore di carico e alle applicazioni di protezione contro l'inversione di polarità. Il vantaggio principale di un dispositivo a canale P è la riduzione della complessità di progettazione nelle applicazioni a media e bassa potenza. La sua facile interfaccia con MCU, la commutazione rapida e la robustezza a valanga lo rendono adatto per applicazioni impegnative di alta qualità. È disponibile in versione normale con un'ampia gamma RDS(ON) e migliora l'efficienza a carichi bassi grazie alla bassa Qg. Viene utilizzato nella gestione delle batterie, nell'automazione industriale.

Ideale per frequenze di commutazione alte e basse

Resistenza alle valanghe

Contenitore a montaggio superficiale con ingombro standard industriale

Prestazioni robuste e affidabili

Maggiore sicurezza dell'approvvigionamento

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