MOSFET Toshiba, canale Tipo P 60 V, 400 mΩ, 2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SSM3J356R,LF(T

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
236-3573
Codice costruttore:
SSM3J356R,LF(T
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo P

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

400mΩ

Tensione diretta Vf

0.9V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

-20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

8.3nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Altezza

0.8mm

Larghezza

2.9 mm

Lunghezza

2.4mm

Standard automobilistico

No

Il transistore a effetto di campo Toshiba è costituito dal materiale di silicio e di tipo MOS È utilizzato principalmente in applicazioni di commutazione con gestione dell'alimentazione.

Intervallo di temperatura di stoccaggio da −55 a 150 °C.

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