MOSFET Toshiba, canale Tipo N 30 V, 289 mΩ, 3.5 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SSM3K329R,LF(T

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
236-3575
Codice costruttore:
SSM3K329R,LF(T
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

3.5A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

289mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.5nC

Tensione diretta Vf

-0.9V

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

2.4mm

Altezza

0.8mm

Larghezza

2.9 mm

Standard automobilistico

No

Il transistore a effetto di campo Toshiba è costituito dal materiale di silicio e di tipo MOS È usato principalmente nella commutazione di gestione dell'alimentazione e nelle applicazioni di commutazione ad alta velocità.

Intervallo di temperatura di stoccaggio da −55 a 150 °C.

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