MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 43 mΩ, 6 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SSM3K341R,LF(T

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

723,00 €

(IVA esclusa)

882,00 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
In magazzino
  • 3000 unità pronte per la spedizione da un'altra sede
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per bobina*
3000 +0,241 €723,00 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
236-3579
Codice costruttore:
SSM3K341R,LF(T
Costruttore:
Toshiba
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Toshiba

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

43mΩ

Tensione diretta Vf

-0.9V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

9.3nC

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Dissipazione di potenza massima Pd

2.4W

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Lunghezza

2.4mm

Altezza

0.8mm

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

2.9 mm

Standard automobilistico

No

Il transistore a effetto di campo Toshiba è costituito dal materiale di silicio e di tipo MOS È utilizzato principalmente in applicazioni di commutazione con gestione dell'alimentazione.

Intervallo di temperatura di stoccaggio da −55 a 150 °C.

Link consigliati