MOSFET Toshiba, canale Tipo N 40 V, 220 mΩ, 2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Prezzo per 1 bobina da 3000 unità*

258,00 €

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Codice RS:
236-3576
Codice costruttore:
SSM3K339R,LF(T
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

220mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.1nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

-0.85V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

2.9 mm

Lunghezza

2.4mm

Altezza

0.8mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Il transistore a effetto di campo Toshiba è costituito dal materiale di silicio e di tipo MOS È utilizzato principalmente in applicazioni di commutazione con gestione dell'alimentazione.

Intervallo di temperatura di stoccaggio da −55 a 150 °C.

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