MOSFET Toshiba, canale Tipo N 40 V, 390 mΩ Miglioramento, 2 A, 3 Pin, SOT-23, Superficie SSM3K339R

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-2471
Codice costruttore:
SSM3K339R
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

2A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

390mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

12 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

1.1nC

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Larghezza

1.8 mm

Lunghezza

2.9mm

Altezza

0.7mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Interruttori di gestione dell'alimentazione

Convertitori cc-cc

Tensione stadio pilota: 1,8-V.

Resistenza all'accensione drain-source bassa

RDS(ON) = 145 mΩ (@VGS = 8.0 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 155 mΩ (@VGS = 4.5 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 160 mΩ (@VGS = 3.6 V, ID = 1,0 A)

RDS(ON) = 180 mΩ (@VGS = 2.5 V, ID = 0,5 A)

RDS(ON) = 220 mΩ (@VGS = 1.8 V, ID = 0,2 A)

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