1 MOSFET Toshiba Singolo, canale N, 56 mΩ, 6 A 30 V, SOT-23, Superficie Miglioramento, 3 Pin SSM3K335R

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
171-2542
Codice costruttore:
SSM3K335R
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

56mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione diretta Vf

1.2V

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Configurazione transistor

Singolo

Larghezza

1.8mm

Altezza

700μm

Lunghezza

2.9mm

Numero elementi per chip

1

Paese di origine:
TH
Tensione stadio pilota: 4,5-V.

Resistenza all'accensione drain-source bassa

RDS(ON) = 38 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 56 mΩ (max) (@VGS = 4,5 V)

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