MOSFET Toshiba, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-2402
Codice costruttore:: SSM3K339R
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Prezzo per Unità (Su Bobina da 3000)**

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Unità	Per unità	Per bobina**
3000 - 3000	0,081 €	243,00 €
6000 - 6000	0,077 €	231,00 €
9000 +	0,072 €	216,00 €

**prezzo indicativo

Codice RS:: 171-2402
Codice costruttore:: SSM3K339R
Costruttore:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	2 A
Tensione massima drain source	40 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	390 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	1.2V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±12 V
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Lunghezza	2.9mm
Carica gate tipica @ Vgs	1,1 nC a 4,2 V
Larghezza	1.8mm
Altezza	0.7mm
Tensione diretta del diodo	1.2V

MOSFET Toshiba, canale N, 390 mΩ, 2 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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