MOSFET Toshiba, canale Tipo N 60 V, 1.75 Ω Miglioramento, 400 mA, 3 Pin, SOT-23, Superficie

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Codice RS:
171-2411
Codice costruttore:
T2N7002BK
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

400mA

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

1.75Ω

Modalità canale

Miglioramento

Minima temperatura operativa

-55°C

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

0.39nC

Dissipazione di potenza massima Pd

1W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

-0.79V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Lunghezza

2.9mm

Altezza

0.9mm

Larghezza

1.3 mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

No

Paese di origine:
TH
Commutazione ad alta velocità

Livello ESD(HBM) 2 kV

Resistenza all'accensione drain-source bassa

RDS(ON) = 1,05 Ω (@VGS = 10 V)

RDS(ON) = 1,15 Ω (@VGS = 5,0 V)

RDS(ON) = 1,2 Ω (@VGS = 4,5 V)

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