Singolo MOSFET Toshiba, canale N, 42 mΩ 30 V, 6 A Miglioramento, SOT-23, Superficie, 3 Pin SSM3K333R

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Codice RS:
171-2399
Codice costruttore:
SSM3K333R
Costruttore:
Toshiba
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Marchio

Toshiba

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

6A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

SOT-23

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

3

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

42mΩ

Modalità canale

Miglioramento

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Dissipazione di potenza massima Pd

2W

Configurazione transistor

Singolo

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Altezza

800μm

Larghezza

1.8mm

Lunghezza

2.9mm

Paese di origine:
TH
azionamento da 4,5 V

Bassa resistenza all'accensione: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4,5 V)

RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

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