MOSFET Toshiba, canale N, 42 mΩ, 6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

Codice RS:: 171-2399
Codice costruttore:: SSM3K333R
Costruttore:: Toshiba

MOSFET Toshiba, canale N, 42 mΩ, 6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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Codice RS:: 171-2399
Codice costruttore:: SSM3K333R
Costruttore:: Toshiba

Datasheet
ESD Control Selection Guide V1

Attributo	Valore
Tipo di canale	N
Corrente massima continuativa di drain	6 A
Tensione massima drain source	30 V
Tipo di package	SOT-23
Tipo di montaggio	Montaggio superficiale
Numero pin	3
Resistenza massima drain source	42 mΩ
Modalità del canale	Enhancement
Tensione di soglia gate massima	2.5V
Tensione di soglia gate minima	1.3V
Dissipazione di potenza massima	2 W
Configurazione transistor	Singolo
Tensione massima gate source	±20 V
Lunghezza	2.9mm
Numero di elementi per chip	1
Massima temperatura operativa	+150 °C
Carica gate tipica @ Vgs	3,4 nC a 4,5 V
Larghezza	1.8mm
Altezza	0.8mm

MOSFET Toshiba, canale N, 42 mΩ, 6 A, SOT-23, Montaggio superficiale

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