Singolo MOSFET Toshiba, canale Tipo N, 42 mΩ 30 V, 6 A Miglioramento, SOT-23, Superficie, 3 Pin SSM3K333R
- Codice RS:
- 171-2399
- Codice costruttore:
- SSM3K333R
- Costruttore:
- Toshiba
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- Codice RS:
- 171-2399
- Codice costruttore:
- SSM3K333R
- Costruttore:
- Toshiba
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Toshiba | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 6A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | SOT-23 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 3 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 42mΩ | |
| Modalità canale | Miglioramento | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Configurazione transistor | Singolo | |
| Altezza | 0.8mm | |
| Larghezza | 1.8mm | |
| Lunghezza | 2.9mm | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Toshiba | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 6A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package SOT-23 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 3 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 42mΩ | ||
Modalità canale Miglioramento | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Configurazione transistor Singolo | ||
Altezza 0.8mm | ||
Larghezza 1.8mm | ||
Lunghezza 2.9mm | ||
- Paese di origine:
- TH
azionamento da 4,5 V
Bassa resistenza all'accensione: RDS(ON) = 42 mΩ (max) (@VGS = 4,5 V)
RDS(ON) = 28 mΩ (max) (@VGS = 10 V)
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