MOSFET Infineon, canale Tipo N 120 V, 3 mΩ, 237 A, 8 Pin, HSOF-8, Superficie IPT030N12N3GATMA1

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Codice RS:
236-3669
Codice costruttore:
IPT030N12N3GATMA1
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

237A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

120V

Tipo di package

HSOF-8

Serie

OptiMOS™

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

3mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

375W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

158nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.2V

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

10.58 mm

Altezza

2.4mm

Lunghezza

10.1mm

Standard automobilistico

No

Il MOSFET di potenza Infineon OptiMOS è la soluzione ideale per apparecchiature alimentate a batteria, con un equilibrio ottimale tra un ulteriore margine di scarica distruttiva e una bassa resistenza in stato attivo. Viene utilizzato in veicoli elettrici leggeri, azionamenti a bassa tensione e utensili alimentati a batteria.

Elevata densità di potenza e migliore gestione termica

Richiede meno spazio sulla scheda

Elevata efficienza del sistema e minor collegamento in parallelo richiesto

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