MOSFET Vishay, canale Tipo N, Tipo N, 0.00315 Ω 60 V, 130 A Depletion, PowerPAK SO-8, Superficie, 8 Pin SIR182LDP-T1-RE3

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Codice RS:
239-8641
Codice costruttore:
SIR182LDP-T1-RE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N, Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

130A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

60V

Tipo di package

PowerPAK SO-8

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00315Ω

Modalità canale

Depletion

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

56nC

Dissipazione di potenza massima Pd

83W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Larghezza

5.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV che funziona a 60 V. Questo MOSFET viene utilizzato per l'alimentazione, il controllo dell'azionamento dei motori e la rettifica sincrona.

Resistenza molto bassa

Testato UIS

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