MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00253 Ω Depletion, 445 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJQ112E-T1_GE3

Visualizza MOSFET
Sconto per quantità disponibile

Prezzo per 1 confezione da 2 unità*

8,45 €

(IVA esclusa)

10,308 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Scorte limitate
  • Più 1760 unità in spedizione dal 05 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per confezione*
2 - 184,225 €8,45 €
20 - 483,965 €7,93 €
50 - 983,595 €7,19 €
100 - 1983,38 €6,76 €
200 +3,175 €6,35 €

*prezzo indicativo

Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8676
Codice costruttore:
SQJQ112E-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

445A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00253Ω

Modalità canale

Depletion

Tensione diretta Vf

1.1V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Dissipazione di potenza massima Pd

255W

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.15mm

Larghezza

4.9 mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV per il settore automobilistico che funziona a 100 V e 175 °C. Questo MOSFET viene utilizzato per un'elevata densità di potenza.

Qualificato AEC-Q101

Testato UIS

Contenitore sottile

Link consigliati