MOSFET Vishay, canale Tipo P 30 V, 0.00052 Ω Miglioramento, 445 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie

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Codice RS:
239-8677
Codice costruttore:
SQJQ130EL-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo P

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

445A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Serie

TrenchFET Gen IV

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00052Ω

Modalità canale

Miglioramento

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

1.1V

Dissipazione di potenza massima Pd

255W

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

6.15mm

Standard/Approvazioni

AEC-Q101

Altezza

1.6mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Il modello SQJQ Vishay è un MOSFET a canale P per il settore automobilistico che funziona a 30 V e 175 °C. Questo MOSFET viene utilizzato per un'elevata densità di potenza.

Bassa resistenza

Qualificato AEC-Q101

Testato UIS

Contenitore sottile

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