MOSFET Vishay, canale Tipo N 30 V, 0.00253 Ω Depletion, 445 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJQ112E-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8676P
Codice costruttore:
SQJQ112E-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

445A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

30V

Tipo di package

PowerPAK (8x8L)

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

4

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.00253Ω

Modalità canale

Depletion

Minima temperatura operativa

-55°C

Dissipazione di potenza massima Pd

255W

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

43nC

Tensione diretta Vf

1.1V

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Standard/Approvazioni

No

Lunghezza

6.15mm

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV per il settore automobilistico che funziona a 100 V e 175 °C. Questo MOSFET viene utilizzato per un'elevata densità di potenza.

Qualificato AEC-Q101

Testato UIS

Contenitore sottile

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