MOSFET Vishay, canale N 30 V, 0.00253 Ω Depletion, 445 A, 4 Pin, PowerPAK (8x8L), Superficie SQJQ112E-T1_GE3
- Codice RS:
- 239-8676P
- Codice costruttore:
- SQJQ112E-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
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- Codice RS:
- 239-8676P
- Codice costruttore:
- SQJQ112E-T1_GE3
- Costruttore:
- Vishay
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Vishay | |
| Tipo di canale | N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 445A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 30V | |
| Tipo di package | PowerPAK (8x8L) | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 4 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.00253Ω | |
| Modalità canale | Depletion | |
| Tensione diretta Vf | 1.1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 43nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 255W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 125°C | |
| Standard/Approvazioni | No | |
| Larghezza | 4.9mm | |
| Lunghezza | 6.15mm | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Vishay | ||
Tipo di canale N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 445A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 30V | ||
Tipo di package PowerPAK (8x8L) | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 4 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.00253Ω | ||
Modalità canale Depletion | ||
Tensione diretta Vf 1.1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 43nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 255W | ||
Temperatura massima di funzionamento 125°C | ||
Standard/Approvazioni No | ||
Larghezza 4.9mm | ||
Lunghezza 6.15mm | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV per il settore automobilistico che funziona a 100 V e 175 °C. Questo MOSFET viene utilizzato per un'elevata densità di potenza.
Qualificato AEC-Q101
Testato UIS
Contenitore sottile