MOSFET Vishay, canale Tipo N 40 V, 0.000253 Ω Depletion, 214 A, 8 Pin, PowerPAK 1212-8SLW, Superficie SQS140ENW-T1_GE3

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Opzioni di confezione:
Codice RS:
239-8683
Codice costruttore:
SQS140ENW-T1_GE3
Costruttore:
Vishay
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Marchio

Vishay

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

214A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

40V

Tipo di package

PowerPAK 1212-8SLW

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

8

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

0.000253Ω

Modalità canale

Depletion

Dissipazione di potenza massima Pd

197W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

20 V

Tensione diretta Vf

1.1V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

38nC

Minima temperatura operativa

-55°C

Temperatura massima di funzionamento

125°C

Lunghezza

3.3mm

Standard/Approvazioni

No

Standard automobilistico

AEC-Q101

Vishay TrenchFET® è un MOSFET a canale N di potenza Gen IV che funziona a 40 V e 175 °C. Questo MOSFET viene utilizzato per un'elevata densità di potenza.

Bassa resistenza

Qualificato AEC-Q101

Testato UIS

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