MOSFET Infineon, canale N, 44 A, PQFN 2 x 2, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza Infineon OptiMOSTM 5 da 30 V, 3,6 mΩ, fattore di forma più piccolo in contenitore PQFN 2x2. Con la nuova famiglia di prodotti BIC OptiMOSTM 5 in 25 V e 30 V Infineon offre una soluzione migliore della categoria per l'efficienza in un fattore di forma ridotto, il che lo rende la soluzione perfetta per applicazioni quali la ricarica wireless, gli interruttori di carico e le applicazioni c.c. a bassa potenza. Il piccolo contenitore PQFN 2x2 con ingombro di 4 mm2, combinato con le eccezionali prestazioni elettriche, contribuisce al miglioramento del fattore di forma nelle applicazioni finali, caratterizzato da un basso RDS ON di 3,6 mΩ.

Ottimizzato per prestazioni elevate e densità di potenza
100% testato a valanga
Resistenza termica superiore per contenitore 2x2
Canale N
Placcatura del conduttore senza piombo
Conforme a RoHS
Senza alogeni in conformità alla norma IEC61249-2-21