MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 2.4 mΩ, 55 A, 6 Pin, PQFN, Superficie ISK036N03LM5
- Codice RS:
- 240-6379
- Codice costruttore:
- ISK036N03LM5
- Costruttore:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 50 - 120 | 0,62 € | 3,10 € |
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*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 240-6379
- Codice costruttore:
- ISK036N03LM5
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
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Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 55A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 25V | |
| Tipo di package | PQFN | |
| Serie | ISK | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 6 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 2.4mΩ | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 171W | |
| Tensione diretta Vf | 0.81V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura massima di funzionamento | 150°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | AEC-Q101 | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 55A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 25V | ||
Tipo di package PQFN | ||
Serie ISK | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 6 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 2.4mΩ | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 171W | ||
Tensione diretta Vf 0.81V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura massima di funzionamento 150°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico AEC-Q101 | ||
MOSFET di potenza Infineon OptiMOSTM 5 da 30 V, 3,6 mΩ, fattore di forma più piccolo in contenitore PQFN 2x2. Con la nuova famiglia di prodotti BIC OptiMOSTM 5 in 25 V e 30 V Infineon offre una soluzione migliore della categoria per l'efficienza in un fattore di forma ridotto, il che lo rende la soluzione perfetta per applicazioni quali la ricarica wireless, gli interruttori di carico e le applicazioni c.c. a bassa potenza. Il piccolo contenitore PQFN 2x2 con ingombro di 4 mm2, combinato con le eccezionali prestazioni elettriche, contribuisce al miglioramento del fattore di forma nelle applicazioni finali, caratterizzato da un basso RDS ON di 3,6 mΩ.
Ottimizzato per prestazioni elevate e densità di potenza
100% testato a valanga
Resistenza termica superiore per contenitore 2x2
Canale N
Placcatura del conduttore senza piombo
Conforme a RoHS
Senza alogeni in conformità alla norma IEC61249-2-21
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