MOSFET Infineon, canale N 25 V, 2.4 mΩ, 55 A, 6 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
240-6378
Codice costruttore:
ISK036N03LM5
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo di canale

N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Tipo di package

PQFN

Serie

ISK

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

810mV

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

171W

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza Infineon OptiMOSTM 5 da 30 V, 3,6 mΩ, fattore di forma più piccolo in contenitore PQFN 2x2. Con la nuova famiglia di prodotti BIC OptiMOSTM 5 in 25 V e 30 V Infineon offre una soluzione migliore della categoria per l'efficienza in un fattore di forma ridotto, il che lo rende la soluzione perfetta per applicazioni quali la ricarica wireless, gli interruttori di carico e le applicazioni c.c. a bassa potenza. Il piccolo contenitore PQFN 2x2 con ingombro di 4 mm2, combinato con le eccezionali prestazioni elettriche, contribuisce al miglioramento del fattore di forma nelle applicazioni finali, caratterizzato da un basso RDS ON di 3,6 mΩ.

Ottimizzato per prestazioni elevate e densità di potenza

100% testato a valanga

Resistenza termica superiore per contenitore 2x2

Canale N

Placcatura del conduttore senza piombo

Conforme a RoHS

Senza alogeni in conformità alla norma IEC61249-2-21

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