MOSFET Infineon, canale Tipo N 25 V, 2.4 mΩ, 55 A, 6 Pin, PQFN, Superficie

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Codice RS:
240-6376
Codice costruttore:
ISK024NE2LM5
Costruttore:
Infineon
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Marchio

Infineon

Tipo prodotto

MOSFET

Tipo di canale

Tipo N

Massima corrente di scarico continua Id

55A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

25V

Serie

ISK

Tipo di package

PQFN

Tipo montaggio

Superficie

Numero pin

6

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

2.4mΩ

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

80nC

Dissipazione di potenza massima Pd

171W

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

30 V

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione diretta Vf

0.81V

Temperatura massima di funzionamento

150°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

AEC-Q101

MOSFET di potenza Infineon OptiMOSTM 5 da 25 V, 2,4 mΩ, fattore di forma più piccolo in contenitore PQFN 2x2. Con la nuova famiglia di prodotti BIC OptiMOSTM 5 in 25 V e 30 V Infineon offre una soluzione migliore della categoria per l'efficienza in un fattore di forma ridotto, il che lo rende la soluzione perfetta per applicazioni quali la ricarica wireless, gli interruttori di carico e le applicazioni c.c. a bassa potenza. Il contenitore PQFN 2x2 con ingombro ridotto di 4 mm2, combinato con le eccezionali prestazioni elettriche, contribuisce al miglioramento del fattore di forma nelle applicazioni finali, caratterizzato da un basso RDSon di 2,4 mΩ.

Resistenza termica superiore per un contenitore PQFN 2x2

Ottimizzato per prestazioni e densità di potenza più elevate

RDSon più basso del settore nel contenitore PQFN 2x2 più piccolo

Canale N

100% testato a valanga

Placcatura al piombo senza Pb; Conformità RoHS

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