MOSFET Infineon, canale N, 55 A, PQFN 2 x 2, Montaggio superficiale

MOSFET di potenza Infineon OptiMOSTM 5 da 25 V, 2,4 mΩ, fattore di forma più piccolo in contenitore PQFN 2x2. Con la nuova famiglia di prodotti BIC OptiMOSTM 5 in 25 V e 30 V Infineon offre una soluzione migliore della categoria per l'efficienza in un fattore di forma ridotto, il che lo rende la soluzione perfetta per applicazioni quali la ricarica wireless, gli interruttori di carico e le applicazioni c.c. a bassa potenza. Il contenitore PQFN 2x2 con ingombro ridotto di 4 mm2, combinato con le eccezionali prestazioni elettriche, contribuisce al miglioramento del fattore di forma nelle applicazioni finali, caratterizzato da un basso RDSon di 2,4 mΩ.

Resistenza termica superiore per un contenitore PQFN 2x2
Ottimizzato per prestazioni e densità di potenza più elevate
RDSon più basso del settore nel contenitore PQFN 2x2 più piccolo
Canale N
100% testato a valanga
Placcatura al piombo senza Pb