MOSFET Infineon, canale N, 85 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale
- Codice RS:
- 240-6641
- Codice costruttore:
- IQE065N10NM5CGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
500 Disponibile per la consegna entro 4 giorni lavorativi, per ordini effettuati entro le 19:00 (magazzini in Europa)
Prezzo per Unità (Su Bobina da 5000)
1,264 €
(IVA esclusa)
1,542 €
(IVA inclusa)
Unità | Per unità | Per bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 1,264 € | 6.320,00 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 240-6641
- Codice costruttore:
- IQE065N10NM5CGATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
L'Infineon OptiMOSTM 5 100V PQFN 3,3x3,3 Source-Down ha 100 V e una bassa RDS(on) di 6,5 mOhm. Offre diversi vantaggi, come una maggiore capacità termica, una densità di potenza avanzata o una migliore possibilità di layout. Inoltre, la maggiore efficienza, i minori requisiti di raffreddamento attivo e l'efficace disposizione per la gestione termica sono vantaggi a livello di sistema.
Perdite PCB migliorate
Consentono la massima densità di potenza e prestazioni
Consentono la massima densità di potenza e prestazioni
Specifiche
Attributo | Valore |
|---|---|
| Tipo di canale | N |
| Corrente massima continuativa di drain | 85 A |
| Tensione massima drain source | 100 V |
| Tipo di package | PQFN 3 x 3 |
| Tipo di montaggio | Montaggio superficiale |
| Numero pin | 8 |
| Numero di elementi per chip | 1 |
Link consigliati
- MOSFET Infineon, canale N, 85 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon, canale P, 510 mA, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon, canale N, 298 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon, canale N, 40 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon, canale N, 153 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon, canale N, 0,0056 Ω, 105 A, PQFN 3 x 3, Montaggio...
- MOSFET Infineon, canale N, 101 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale
- MOSFET Infineon, canale N, 253 A, PQFN 3 x 3, Montaggio superficiale