MOSFET onsemi, canale Tipo N 1200 V, 22 mΩ, 58 A, 5 Pin, TO-247, Foro passante

Visualizza MOSFET

Prezzo per 1 tubo da 450 unità*

3253,95 €

(IVA esclusa)

3969,90 €

(IVA inclusa)

Add to Basket
Selezionare o digitare la quantità
Temporaneamente esaurito
  • Spedizione a partire dal 05 maggio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità
Per unità
Per Tubo*
450 +7,231 €3.253,95 €

*prezzo indicativo

Codice RS:
241-0743
Codice costruttore:
NTHL045N065SC1
Costruttore:
onsemi
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto

Marchio

onsemi

Tipo di canale

Tipo N

Tipo prodotto

MOSFET

Massima corrente di scarico continua Id

58A

Tensione massima della sorgente di scarico Vds

1200V

Serie

NTHL

Tipo di package

TO-247

Tipo montaggio

Foro passante

Numero pin

5

Resistenza massima della sorgente di scarico Rds

22mΩ

Dissipazione di potenza massima Pd

117W

Minima temperatura operativa

-55°C

Tensione massima della sorgente del cancello Vgs

22 V

Tensione diretta Vf

1.2V

Carica tipica del gate Qg @ Vgs

105nC

Temperatura massima di funzionamento

175°C

Standard/Approvazioni

RoHS

Standard automobilistico

No

Carburo di silicio (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M2, TO-247-3L


MOSFET in carburo di silicio a canale N da 650 V, 42 mΩ semiconduttore ON. Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza in stato attivo e le dimensioni compatte del chip assicurano una bassa capacità e una carica dela porta. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, un ridotto EMI e dimensioni ridotte del sistema.

Alta temperatura

di giunzione, commutazione ad alta velocità e bassa capacità

Max RDS(on) = 50 mΩ a Vgs = 18 V, Id = 66 A

Link consigliati