MOSFET onsemi, canale N, 66 A, TO-247, Su foro

MOSFET in carburo di silicio a canale N da 650 V, 42 mΩ semiconduttore ON. Il MOSFET in carburo di silicio (SiC) utilizza una tecnologia completamente nuova che fornisce prestazioni di commutazione superiori e una maggiore affidabilità rispetto al silicio. Inoltre, la bassa resistenza in stato attivo e le dimensioni compatte del chip assicurano una bassa capacità e una carica dela porta. Di conseguenza, i vantaggi del sistema includono la massima efficienza, una frequenza di funzionamento più rapida, una maggiore densità di potenza, un ridotto EMI e dimensioni ridotte del sistema.

Alta temperatura
di giunzione, commutazione ad alta velocità e bassa capacità
Max RDS(on) = 50 mΩ a Vgs = 18 V, Id = 66 A