MOSFET Infineon, canale N, 82 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza a canale N Infineon OptiMOSTM ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 25 V e una corrente di drenaggio (ID) di 82 A. Offre soluzioni di riferimento consentendo la massima densità di potenza e efficienza energetica, sia in standby che in pieno funzionamento. È dotato della migliore resistenza in stato attivo e ha un uso più ampio in desktop e server, regolatori di tensione ad alta densità di potenza, ecc.

Ottimizzato per convertitori buck ad alte prestazioni
Resistenza in stato attivo molto bassa RDS(on) a VGS = 4,5 V
100% testato a

valanga
Resistenza termica superiore a canale N qualificata in conformità a JEDEC1 per le applicazioni target
Placcatura conduttore senza piombo
conforme a RoHS senza alogeni
in conformità a IEC61249-2-21