MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie BSC026NE2LS5ATMA1
- Codice RS:
- 241-9671
- Codice costruttore:
- BSC026NE2LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Prezzo per 1 confezione da 5 unità*
5,15 €
(IVA esclusa)
6,30 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 2705 unità in spedizione dal 26 gennaio 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,03 € | 5,15 € |
| 50 - 120 | 0,926 € | 4,63 € |
| 125 - 245 | 0,864 € | 4,32 € |
| 250 - 495 | 0,804 € | 4,02 € |
| 500 + | 0,752 € | 3,76 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 241-9671
- Codice costruttore:
- BSC026NE2LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 381A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC0 | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Tensione massima della sorgente del cancello Vgs | 20 V | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Massima corrente di scarico continua Id 381A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC0 | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Tensione massima della sorgente del cancello Vgs 20 V | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza a canale N Infineon OptiMOSTM ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 25 V e una corrente di drenaggio (ID) di 82 A. Offre soluzioni di riferimento consentendo la massima densità di potenza e efficienza energetica, sia in standby che in pieno funzionamento. È dotato della migliore resistenza in stato attivo e ha un uso più ampio in desktop e server, regolatori di tensione ad alta densità di potenza, ecc.
Ottimizzato per convertitori buck ad alte prestazioni
Resistenza in stato attivo molto bassa RDS(on) a VGS = 4,5 V
100% testato a
valanga
Resistenza termica superiore a canale N qualificata in conformità a JEDEC1 per le applicazioni target
Placcatura conduttore senza piombo
conforme a RoHS senza alogeni
in conformità a IEC61249-2-21
Link consigliati
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC097N06NSTATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC022N04LSATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC037N08NS5TATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC0904NSIATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC066N06NSATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC032NE2LSATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC021N08NS5ATMA1