MOSFET Infineon, canale Tipo N 40 V, 0.7 mΩ N, 381 A, 8 Pin, SuperSO8 5 x 6, Superficie BSC146N10LS5ATMA1
- Codice RS:
- 241-9677
- Codice costruttore:
- BSC146N10LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Sconto per quantità disponibile
Visualizza le opzioni di prezzo per quantitàPrezzo per 1 confezione da 5 unità*
5,47 €
(IVA esclusa)
6,675 €
(IVA inclusa)
Consegna GRATUITA per ordini a partire da 60,00 €
In magazzino
- Più 3330 unità in spedizione dal 10 agosto 2026
Te ne servono di più? Inserisci la nuova quantità e clicca su "Controlla le date di consegna".
Unità | Per unità | Per confezione* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,094 € | 5,47 € |
| 50 - 120 | 0,876 € | 4,38 € |
| 125 - 245 | 0,824 € | 4,12 € |
| 250 - 495 | 0,768 € | 3,84 € |
| 500 + | 0,712 € | 3,56 € |
*prezzo indicativo
- Codice RS:
- 241-9677
- Codice costruttore:
- BSC146N10LS5ATMA1
- Costruttore:
- Infineon
Specifiche
Documentazione Tecnica
Normative
Dettagli prodotto
Trova prodotti simili selezionando uno o più attributi.
Seleziona tutto | Attributo | Valore |
|---|---|---|
| Marchio | Infineon | |
| Tipo prodotto | MOSFET | |
| Tipo di canale | Tipo N | |
| Massima corrente di scarico continua Id | 381A | |
| Tensione massima della sorgente di scarico Vds | 40V | |
| Tipo di package | SuperSO8 5 x 6 | |
| Serie | BSC | |
| Tipo montaggio | Superficie | |
| Numero pin | 8 | |
| Resistenza massima della sorgente di scarico Rds | 0.7mΩ | |
| Modalità canale | N | |
| Carica tipica del gate Qg @ Vgs | 80nC | |
| Dissipazione di potenza massima Pd | 81W | |
| Minima temperatura operativa | -55°C | |
| Tensione diretta Vf | 1V | |
| Temperatura massima di funzionamento | 175°C | |
| Standard/Approvazioni | RoHS | |
| Standard automobilistico | No | |
| Seleziona tutto | ||
|---|---|---|
Marchio Infineon | ||
Tipo prodotto MOSFET | ||
Tipo di canale Tipo N | ||
Massima corrente di scarico continua Id 381A | ||
Tensione massima della sorgente di scarico Vds 40V | ||
Tipo di package SuperSO8 5 x 6 | ||
Serie BSC | ||
Tipo montaggio Superficie | ||
Numero pin 8 | ||
Resistenza massima della sorgente di scarico Rds 0.7mΩ | ||
Modalità canale N | ||
Carica tipica del gate Qg @ Vgs 80nC | ||
Dissipazione di potenza massima Pd 81W | ||
Minima temperatura operativa -55°C | ||
Tensione diretta Vf 1V | ||
Temperatura massima di funzionamento 175°C | ||
Standard/Approvazioni RoHS | ||
Standard automobilistico No | ||
Il MOSFET di potenza a livello logico a canale N Infineon OptiMOSTM ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 100 V e una corrente di drenaggio (ID) di 44 A. I MOSFET di potenza a livello logico sono particolarmente adatti per applicazioni di carica, adattatori e telecomunicazioni. La bassa carica gate del dispositivo riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. I MOSFET di livello logico consentono il funzionamento ad alte frequenze di commutazione e, grazie a una bassa tensione di soglia gate, possono essere azionati direttamente dai microcontrollori.
Ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni, ad esempio per la sincronizzazione. Rec
100% testato a valanga
Resistenza termica superiore per contenitore
Canale N
Placcatura del conduttore senza piombo
Conforme a RoHS
Senza alogeni in conformità alla norma IEC61249-2-21
Link consigliati
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC066N06NSATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC026NE2LS5ATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC0501NSIATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC050N10NS5ATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC026N08NS5ATMA1
- MOSFET Infineon 0.7 mΩ N 8 Pin Superficie BSC0901NSIATMA1