Transistor MOSFET Infineon, canale N, 44 A, SuperSO8 5 x 6, Montaggio superficiale

Il MOSFET di potenza a livello logico a canale N Infineon OptiMOSTM ha una tensione di sorgente di drenaggio (VDS) di 100 V e una corrente di drenaggio (ID) di 44 A. I MOSFET di potenza a livello logico sono particolarmente adatti per applicazioni di carica, adattatori e telecomunicazioni. La bassa carica gate del dispositivo riduce le perdite di commutazione senza compromettere le perdite di conduzione. I MOSFET di livello logico consentono il funzionamento ad alte frequenze di commutazione e, grazie a una bassa tensione di soglia gate, possono essere azionati direttamente dai microcontrollori.

Ottimizzato per SMPS ad alte prestazioni, ad esempio per la sincronizzazione. Rec
100% testato a valanga
Resistenza termica superiore per contenitore
Canale N
Placcatura del conduttore senza piombo
Conforme a RoHS
Senza alogeni in conformità alla norma IEC61249-2-21